Name: DMN2019UTS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2019UTS-13DITR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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DMN2019UTS-13
Numéro de produit DigiKey	DMN2019UTS-13DITR-ND - Bande et bobine DMN2019UTS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN2019UTS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2019UTS-13
Description	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 5,4A 780mW Montage en surface 8-TSSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN2019UTS-13 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 950mV à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,8nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 143pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 780mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 à canal N (double), drain commun	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-TSSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,4A	Numéro de produit de base DMN2019
Rds On (max.) à Id, Vgs 18,5mohms à 7 A, 10V

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Documents et supports

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