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Équivalent paramétrique


Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.51000
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 11’669
Prix unitaire : Fr. 0.96000
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 1’756
Prix unitaire : Fr. 0.74000
Fiche technique
Canal N 20 V 6,2 A (Tc) 1,15W (Ta) Montage en surface TSOT-23-6
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DMN2026UVT-13

Numéro de produit DigiKey
DMN2026UVT-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMN2026UVT-13
Description
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 6,2 A (Tc) 1,15W (Ta) Montage en surface TSOT-23-6
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18.4 nC @ 8 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±10V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
887 pF @ 10 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
1,15W (Ta)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
24mohms à 6,2A, 4,5V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMN2026UVT-7Diodes Incorporated031-DMN2026UVT-7CT-NDFr. 0.51000Équivalent paramétrique
FDC637ANonsemi11’669FDC637ANCT-NDFr. 0.96000Similaire
SI3464DV-T1-GE3Vishay Siliconix1’756SI3464DV-T1-GE3CT-NDFr. 0.74000Similaire
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
10’000Fr. 0.09705Fr. 970.50
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.09705
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.10491