Name: DMN2990UFO-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2990UFO-7BTR-ND
Price: 0.52969 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMN2990UFO-7B
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2990UFO-7BTR-ND - Bande et bobine 31-DMN2990UFO-7BCT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN2990UFO-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2990UFO-7B
Description	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 750mA (Ta) 840mW (Ta) Montage en surface X2-DFN0604-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0.41 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 31 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 840mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 750mA (Ta)	Boîtier fournisseur X2-DFN0604-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Boîtier 3-XFDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 990mohms à 100mA, 4,5V	Numéro de produit de base DMN2990

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 48’174

Stock usine : 1’020’000

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine