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DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.22571
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DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
En stock: 1’670
Prix unitaire : Fr. 0.90000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

DMN3029LFG-7
Diodes Incorporated
En stock: 1’951
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Fiche technique
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Canal N 30 V 5,3 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
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DMN3029LFG-13

Numéro de produit DigiKey
DMN3029LFG-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN3029LFG-13
Description
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 5,3 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
18,6mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
580 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN3029
Questions et réponses sur les produits

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Disponible sur commande
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Non annulable/Non remboursable
Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.12417Fr. 372.51
6’000Fr. 0.11361Fr. 681.66
9’000Fr. 0.10823Fr. 974.07
15’000Fr. 0.10219Fr. 1’532.85
21’000Fr. 0.09861Fr. 2’070.81
30’000Fr. 0.09599Fr. 2’879.70
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.12417
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.13423