Name: DMN31D5UDR4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN31D5UDR4-7TR-ND
Price: 0.02469 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN31D5UDR4-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMN31D5UDR4-7TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN31D5UDR4-7
Description	MOSFET 2N-CH 30V 0.5A 6DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 500mA (Ta) 370mW Montage en surface X2-DFN1010-6 (Type UXC)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	500mA (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5ohms à 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50pC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	22,2pF à 15V
Puissance - Max.	370mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-XFDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	X2-DFN1010-6 (Type UXC)

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