Name: DMN32D2LFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN32D2LFB4DITR-ND
Price: 0.61617 CHF
Availability: InStock

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DMN32D2LFB4-7
Numéro de produit DigiKey	DMN32D2LFB4DITR-ND - Bande et bobine DMN32D2LFB4DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN32D2LFB4DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN32D2LFB4-7
Description	MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 39 pF @ 3 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 350mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur X2-DFN1006-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300mA (Ta)	Boîtier 3-XFDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4V	Numéro de produit de base DMN32
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 100mA, 4V

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