Name: DMN62D1LFDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D1LFDQ-13-ND
Price: 0.07349 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN62D1LFDQ-13
Numéro de produit DigiKey	DMN62D1LFDQ-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN62D1LFDQ-13
Description	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 400mA (Ta) 500mW Montage en surface U-DFN1212-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	400mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 100mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.55 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	36 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	U-DFN1212-3
Boîtier	3-XDFN
Numéro de produit de base	DMN62

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Bande et bobine