DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated | Matrices de FET, MOSFET

DMN63D1LDW-13 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Diodes Incorporated

En stock: 1’590

Prix unitaire : Fr. 0.76000

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DMN63D1LDW-13
Numéro de produit DigiKey	DMN63D1LDW-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN63D1LDW-13
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 250mA 310mW Montage en surface SOT-363
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,3nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 30pF à 25V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 310mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60V	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 250mA	Boîtier fournisseur SOT-363
Rds On (max.) à Id, Vgs 2ohms à 500mA, 10V	Numéro de produit de base DMN63

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Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN66D0LDW-7	Diodes Incorporated	1’590	31-DMN66D0LDW-7CT-ND	Fr. 0.76000	Similaire

Obsolète

DMN63D1LDW-13