Name: DMP65H20D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND
Price: 1.41611 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMP65H20D0HSS-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMP65H20D0HSS-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMP65H20D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP65H20D0HSS-13
Description	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 600 V 200mA (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20ohms à 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)