DMS2220LFW-7 Diodes Incorporated | Produits semi-conducteurs discrets

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DMS2220LFW-7
Numéro de produit DigiKey	DMS2220LFWDITR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMS2220LFW-7
Description	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2,9 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 8-DFN3020 (3x2)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	95mohms à 2,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,3V à 250µA
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	632 pF @ 10 V
Fonction FET	Diode Schottky (isolée)
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN3020 (3x2)
Boîtier	8-VDFN plot exposé