Name: DMT10H025SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H025SSS-13DITR-ND
Price: 1.07019 CHF
Availability: InStock

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DMT10H025SSS-13
Numéro de produit DigiKey	DMT10H025SSS-13DITR-ND - Bande et bobine DMT10H025SSS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMT10H025SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H025SSS-13
Description	MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7,4 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21.4 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1544 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,4W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,4 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SO
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base DMT10

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDS3672	onsemi	11	FDS3672CT-ND	Fr. 1.77000	Similaire

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.99000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.07019

DMT10H025SSS-13