Name: DMT10H072LFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H072LFV-13DI-ND
Price: 0.19582 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT10H072LFV-13
Numéro de produit DigiKey	DMT10H072LFV-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H072LFV-13
Description	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 4,7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Montage en surface PowerDI3333-8 (Type UX)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,7A (Ta), 20A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	62mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	228 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI3333-8 (Type UX)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMT10