Name: DMT35M7LFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT35M7LFV-13-ND
Price: 0.23618 CHF
Availability: OutOfStock

DMT35M7LFV-13 est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 4’992

Prix unitaire : Fr. 0.90000

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 9’472

Prix unitaire : Fr. 0.86000

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 56

Prix unitaire : Fr. 0.34000

Similaire

STMicroelectronics

En stock: 0

Prix unitaire : Fr. 0.41661

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMT35M7LFV-13
Numéro de produit DigiKey	DMT35M7LFV-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT35M7LFV-13
Description	MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 76 A (Tc) 1,98W (Ta) Montage en surface PowerDI3333-8 (Type UX)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	76 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1667 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,98W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI3333-8 (Type UX)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMT35