Name: DMT6012LFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6012LFDF-13-ND
Price: 0.22837 CHF
Availability: OutOfStock

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DMT6012LFDF-13
Numéro de produit DigiKey	DMT6012LFDF-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT6012LFDF-13
Description	MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 9,5 A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Montage en surface U-DFN2020-6 (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13.6 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 785 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 900mW (Ta), 11W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,5 A (Ta)	Boîtier fournisseur U-DFN2020-6 (Type F)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 6-UDFN plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 14mohms à 8,5A, 10V	Numéro de produit de base DMT6012