Name: DMTH10H032LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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DMTH10H032LFVW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH10H032LFVW-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMTH10H032LFVW-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	26 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	683 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,7W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMTH10

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