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Équivalent paramétrique

DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
En stock: 8’548
Prix unitaire : Fr. 1.46000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 1.34000
Fiche technique

Équivalent paramétrique

DMTH6010LPDWQ-13
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.35673
Fiche technique
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DXTN3C100PD-13
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DMTH6010LPDW-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMTH6010LPDW-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMTH6010LPDW-13
Description
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc) 2,8W (Ta), 37,5W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8 (Type UXD)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13,1 A (Ta), 47,6 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
11mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40,2nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2615pF à 30V
Puissance - Max.
2,8W (Ta), 37,5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur
PowerDI5060-8 (Type UXD)
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2’500Fr. 0.52176Fr. 1’304.40
5’000Fr. 0.51340Fr. 2’567.00
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.52176
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.56402