Name: DMTH6010LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH6010LPSW-13TR-ND
Price: 0.30592 CHF
Availability: OutOfStock

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DMTH6010LPSWQ-13

Diodes Incorporated

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DMTH6010LPSW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH6010LPSW-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6010LPSW-13
Description	MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 269pF à 10V 2,9W (Ta), 75W (Tc) Montage en surface Accelerometer, 3 Axis, Impact
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	269pF à 10V
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	41.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2090 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,9W (Ta), 75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	Accelerometer, 3 Axis, Impact
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMTH6010

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