Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 0.84318 CHF
Availability: InStock

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DMTH8012LPSQ-13
Numéro de produit DigiKey	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Bande et bobine DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH8012LPSQ-13
Description	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 10 A (Ta), 72 A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 72 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	17mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2051 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,6W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMTH8012