Name: DMWSH120H28SM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM4-ND
Price: 23.59823 CHF
Availability: InStock

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DMWSH120H28SM4
Numéro de produit DigiKey	31-DMWSH120H28SM4-ND
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMWSH120H28SM4
Description	SICFET N-CH 1200V TO-247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28.5mohms à 50A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 17,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	173.7 nC @ 15 V
Vgs (max.)	+19V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3944 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	429W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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En stock: 25

Stock usine : 34’110

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 21.83000	Fr. 21.83
30	Fr. 14.13833	Fr. 424.15
120	Fr. 13.94000	Fr. 1’672.80

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.