Équivalent paramétrique
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Similaire
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MMBD4448HW-7-F | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | MMBD4448HW-7-F-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | MMBD4448HW-7-F |
Description | DIODE STANDARD 80V 250MA SOT233 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 80 V 250mA Montage en surface SOT-23-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 70 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 3,5pF à 6V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 80 V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 |
Courant - Moyen redressé (Io) 250mA | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.25 V @ 150 mA | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBD4448H-7 | Diodes Incorporated | 0 | MMBD4448HDITR-ND | Fr. 0.00000 | Équivalent paramétrique |
| MMBD4448H-7-F | Diodes Incorporated | 353 | MMBD4448H-FDICT-ND | Fr. 0.18000 | Équivalent paramétrique |
| BAS116LT1G | onsemi | 21’151 | BAS116LT1GOSCT-ND | Fr. 0.12000 | Similaire |
| BAS16E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 0 | BAS16E6327HTSA1TR-ND | Fr. 0.02687 | Similaire |
| BAS16E6433HTMA1 | Infineon Technologies | 0 | BAS16E6433HTMA1TR-ND | Fr. 0.02687 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.03321 | Fr. 99.63 |
| 6’000 | Fr. 0.02969 | Fr. 178.14 |
| 9’000 | Fr. 0.02789 | Fr. 251.01 |
| 15’000 | Fr. 0.02587 | Fr. 388.05 |
| 21’000 | Fr. 0.02467 | Fr. 518.07 |
| 30’000 | Fr. 0.02351 | Fr. 705.30 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.03321 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.03590 |




