MMDT4146-7-F Diodes Incorporated | Matrices de transistors bipolaires

MMDT4146-7-F est obsolète et n'est plus fabriqué.

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MMDT4146-7-F
Numéro de produit DigiKey	MMDT4146-FDITR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	MMDT4146-7-F
Description	TRANS NPN/PNP 25V 200MA SOT-363
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 1 NPN, 1 PNP 25V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Montage en surface SOT-363
Modèles EDA/CAO	MMDT4146-7-F Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 50 nA (ICBO)
Fabricant Diodes Incorporated	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 120 à 2mA, 1V
Conditionnement Bande et bobine	Puissance - Max. 200mW
Statut du composant Obsolète	Fréquence - Transition 300MHz, 250MHz
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 200mA	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 25V	Boîtier fournisseur SOT-363
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 300mV à 5mA, 50mA / 400mV à 5mA, 50mA	Numéro de produit de base MMDT4146