Canal N 100 V 200 A (Tc) 340W (Tc) Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DI200N10D2

Numéro de produit DigiKey
4878-DI200N10D2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DI200N10D2
Description
MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 200 A (Tc) 340W (Tc) Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DI200N10D2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
262 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
16800 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
340W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263AB (D2PAK)
Boîtier
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 381
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CHF
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 2.74000Fr. 2.74
10Fr. 1.79200Fr. 17.92
100Fr. 1.24970Fr. 124.97
800Fr. 0.96604Fr. 772.83
1’600Fr. 0.89985Fr. 1’439.76
2’400Fr. 0.88592Fr. 2’126.21
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 2.74000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 2.96194