Name: DI7A6N10SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI7A6N10SQTR-ND
Price: 1.12424 CHF
Availability: InStock

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DI7A6N10SQ
Numéro de produit DigiKey	4878-DI7A6N10SQTR-ND - Bande et bobine 4878-DI7A6N10SQCT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI7A6N10SQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI7A6N10SQ
Description	MOSFET N-CH 100V 7.6A 8-SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7,6 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI7A6N10SQ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V
Fabricant Diotec Semiconductor	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1650 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,6 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier fournisseur 8-SO
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 7,5A, 10V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.04000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.12424

DI7A6N10SQ