EPC2108 EPC | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

EPC2108
Numéro de produit DigiKey	917-1169-2-ND - Bande et bobine 917-1169-1-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	EPC
Numéro de produit du fabricant	EPC2108
Description	MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V, 100V 1,7A, 500mA Montage en surface 9-BGA (1,35x1,35)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Configuration	3 canaux N (demi-pont + amorçage synchrone)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V, 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,7A, 500mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 2,5A, 5V, 3,3ohms à 2,5A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 100µA, 2,5V à 20µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,22nC à 5V, 0,044nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	22pF à 30V, 7pF à 30V
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	9-VFBGA
Boîtier fournisseur	9-BGA (1,35x1,35)
Numéro de produit de base	EPC210