Name: SI2301DS-EV
Brand: EVVO
SKU: 5272-SI2301DS-EVTR-ND
Price: 0.16215 CHF
Availability: InStock

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SI2301DS-EV
Numéro de produit DigiKey	5272-SI2301DS-EVTR-ND - Bande et bobine 5272-SI2301DS-EVCT-ND - Bande coupée (CT) 5272-SI2301DS-EVDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	EVVO
Numéro de produit du fabricant	SI2301DS-EV
Description	P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	3 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3,3 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	EVVO
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	70mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	503 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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