FQT2P25TF onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FQT2P25TF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 5’096

Prix unitaire : Fr. 0.93000

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FQT2P25TF
Numéro de produit DigiKey	FQT2P25TFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQT2P25TF
Description	MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
Référence client
Description détaillée	Canal P 250 V 550mA (Tc) 2,5W (Tc) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	QFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	550mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4ohms à 275mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	250 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	FQT2P25