Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG030N120M3STR-ND
Price: 21.79296 CHF
Availability: InStock

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NVBG030N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NVBG030N120M3STR-ND - Bande et bobine 5556-NVBG030N120M3SCT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NVBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVBG030N120M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 77 A (Tc) 348W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	77 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	39mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,4V à 15mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2430 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	348W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA