Name: G3F18MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F18MT12J-TR-ND
Price: 21.78215 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

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G3F18MT12J-TR
Numéro de produit DigiKey	1242-G3F18MT12J-TR-ND - Bande et bobine 1242-G3F18MT12J-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1242-G3F18MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G3F18MT12J-TR
Description	1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	122A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 45A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 35mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	212 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4962 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	526W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA