Name: G3R40MT12D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R40MT12D-ND
Price: 15.06914 CHF
Availability: InStock

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G3R40MT12D
Numéro de produit DigiKey	1242-G3R40MT12D-ND
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G3R40MT12D
Description	SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 71 A (Tc) 333W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	G3R40MT12D Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	G3R™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	71 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	48mohms à 35A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	2,69V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	106 nC @ 15 V
Vgs (max.)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2929 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	G3R40

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 13.94000	Fr. 13.94
10	Fr. 12.72000	Fr. 127.20
25	Fr. 12.26400	Fr. 306.60
100	Fr. 11.61610	Fr. 1’161.61
250	Fr. 11.20004	Fr. 2’800.01
500	Fr. 10.89600	Fr. 5’448.00

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.