Name: GD25S512MDYEGR
Brand: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
SKU: 1970-GD25S512MDYEGRTR-ND
Price: 5.0529 CHF
Availability: OutOfStock

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GD25S512MDYEGR
Numéro de produit DigiKey	1970-GD25S512MDYEGRTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Numéro de produit du fabricant	GD25S512MDYEGR
Description	IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	FLASH - NOR (SLC) Mémoire IC 512Mb SPI - E/S quadruple 104 MHz 7 ns 8-WSON (6x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Mémoire Mémoire
Fabricant	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Série	GD25S
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de mémoire	Non volatile
Format mémoire	FLASH
Technologies	FLASH - NOR (SLC)
Taille mémoire	512Mb
Organisation de la mémoire	64M x 8
Interface mémoire	SPI - E/S quadruple
Fréquence d'horloge	104 MHz
Temps de cycle d'écriture - Mot, page	60µs, 2.5ms
Temps d'accès	7 ns
Tension - Alimentation	2,7V ~ 3,6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-WDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	8-WSON (6x8)
Numéro de produit de base	GD25S512

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Bande et bobine