Name: G33N03D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G33N03D3TR-ND
Price: 0.81075 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

G33N03D3
Numéro de produit DigiKey	3141-G33N03D3TR-ND - Bande et bobine 3141-G33N03D3CT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G33N03D3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G33N03D3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 28 A (Tc) 13W (Tc) Montage en surface 8-DFN (3x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Goford Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15nC à 10V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 837pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 13W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier 8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-DFN (3x3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)	Numéro de produit de base G33N
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 16A, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 7’097

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.75000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.81075

G33N03D3