Name: GT1K2N10I
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT1K2N10ITR-ND
Price: 0.27025 CHF
Availability: InStock

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GT1K2N10I
Numéro de produit DigiKey	3141-GT1K2N10ITR-ND - Bande et bobine 3141-GT1K2N10ICT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT1K2N10IDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT1K2N10I
Description	MOSFET N-CH 100V 3.3A 1.7W 80M(M
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,3 A (Tc) 1,6W (Tc) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 3A, 10V
Fabricant Goford Semiconductor	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Série GT	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4.2 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 145 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3 A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 0.25000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 0.27025

GT1K2N10I