Canal N 30 V 32 A (Ta), 180 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MX
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Canal N 30 V 32 A (Ta), 180 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MX
DirectFET™ Isometric MX_B

IRF6635TR1

Numéro de produit DigiKey
IRF6635TR1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IRF6635TR1
Description
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 32 A (Ta), 180 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montage en surface DIRECTFET™ MX
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,8mohms à 32A, 10V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
2,35V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
71 nC @ 4.5 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5970 pF @ 15 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,8W (Ta), 89W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
DIRECTFET™ MX
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Obsolète
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