GS66516TMRXUSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

GS66516TMRXUSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 1’467

Prix unitaire : Fr. 11.61000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GS66516TMRXUSA1
Numéro de produit DigiKey	448-GS66516TMRXUSA1TR-ND - Bande et bobine 448-GS66516TMRXUSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-GS66516TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	GS66516TMRXUSA1
Description	GS66516T-MR
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 60 A (Tc) Montage en surface

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 32mohms à 18A, 6V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 1,3V à 14mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12.1 nC @ 6 V
Statut du composant Obsolète	Vgs (max.) +7V, -10V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520 pF @ 400 V
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier 4-SMD, sans plomb
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V