Name: AIMBG75R020M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R020M1HXTMA1TR-ND
Price: 14.49621 CHF
Availability: InStock

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AIMBG75R020M1HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMBG75R020M1HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-AIMBG75R020M1HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-AIMBG75R020M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMBG75R020M1HXTMA1
Description	SICFET N-CH 750V 81A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 81 A (Tc) 326W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AIMBG75R020M1HXTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	750 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	81 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 34,1A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 12,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	70 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2326 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	326W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	AIMBG75