Name: AIMZHN120R010M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R010M1TXKSA1-ND
Price: 24.51708 CHF
Availability: OutOfStock

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AIMZH120R010M1TXKSA1

Infineon Technologies

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Fiche technique

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AIMZHN120R010M1TXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMZHN120R010M1TXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMZHN120R010M1TXKSA1
Description	SIC_DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 202 A (Tc) 750W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-14
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	202 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,3mohms à 93A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 30mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	178 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5703 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	750W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-14
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
240	Fr. 22.68000	Fr. 5’443.20

Conditionnement standard du fabricant

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