Name: AUIRF3710ZSTRL
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF3710ZSTRLTR-ND
Price: 4.2159 CHF
Availability: InStock

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AUIRF3710ZSTRL
Numéro de produit DigiKey	448-AUIRF3710ZSTRLTR-ND - Bande et bobine 448-AUIRF3710ZSTRLCT-ND - Bande coupée (CT) 448-AUIRF3710ZSTRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRF3710ZSTRL
Description	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 59 A (Tc) 160W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2900 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 160W (Tc)
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 59 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 35A, 10V	Numéro de produit de base AUIRF3710
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPB70N10S312ATMA2	Infineon Technologies	0	448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND	Fr. 1.16823	Recommandation fabricant
PSMN016-100BS,118	Nexperia USA Inc.	4’024	1727-7208-1-ND	Fr. 2.00000	Similaire

En stock: 1’283

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Date de dernière disponibilité : 15/10/2026

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Bande et bobine

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Prix unitaire sans TVA:	Fr. 3.90000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 4.21590

AUIRF3710ZSTRL