BAT6806WH6327XTSA1 Infineon Technologies | Diodes RF

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Nexperia USA Inc.

En stock: 1’860

Prix unitaire : Fr. 0.48000

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BAT6806WH6327XTSA1
Numéro de produit DigiKey	BAT6806WH6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BAT6806WH6327XTSA1
Description	DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3
Référence client
Description détaillée	Diodes - RF Schottky - 1 paire d’anodes communes 8V 130 mA 150 mW PG-SOT323
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Diodes RF	Capacité à Vr, F 1pF à 0V, 1MHz
Fabricant Infineon Technologies	Résistance à If, F 10ohms à 5mA, 10kHz
Conditionnement Bande et bobine	Dissipation de puissance (max.) 150 mW
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de diode Schottky - 1 paire d’anodes communes	Boîtier SC-70, SOT-323
Tension - Crête inverse (max.) 8V	Boîtier fournisseur PG-SOT323
Courant - Max. 130 mA	Numéro de produit de base BAT6806

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Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
1PS70SB86,115	Nexperia USA Inc.	1’860	1727-5442-1-ND	Fr. 0.48000	Similaire

Obsolète

Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.

BAT6806WH6327XTSA1