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BCR148E6393HTSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BCR148E6393HTSA1-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BCR148E6393HTSA1 |
Description | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 100 MHz 200 mW Montage en surface PG-SOT23 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 70 à 5mA, 5V |
Fabricant Infineon Technologies | Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 300mV à 500µA, 10mA |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO) |
Statut du composant Obsolète | Fréquence - Transition 100 MHz |
Type de transistor NPN - Prépolarisé | Puissance - Max. 200 mW |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 mA | Type de montage Montage en surface |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50 V | Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Résistances incluses R1 et R2 | Boîtier fournisseur PG-SOT23 |
Résistance - Base (R1) 47 kOhms | Numéro de produit de base |
Résistance - Base d'émetteur (R2) 47 kOhms |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MMUN2213LT1G | onsemi | 27’119 | MMUN2213LT1GOSCT-ND | Fr. 0.12000 | Direct |
| SMMUN2213LT1G | onsemi | 36 | SMMUN2213LT1GOSCT-ND | Fr. 0.14000 | Direct |
| MMUN2212LT1G | onsemi | 41’576 | MMUN2212LT1GOSCT-ND | Fr. 0.11000 | Similaire |
| NSVMMUN2212LT1G | onsemi | 1’145 | NSVMMUN2212LT1GOSCT-ND | Fr. 0.14000 | Similaire |


