BSB028N06NN3GXUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : Fr. 1.13812

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BSB028N06NN3GXUMA1
Numéro de produit DigiKey	BSB028N06NN3GXUMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSB028N06NN3GXUMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 22 A (Ta), 90 A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface MG-WDSON-2, CanPAK M™
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 102µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 143 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF @ 30 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,2W (Ta), 78W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22 A (Ta), 90 A (Tc)	Boîtier 3-WDSON
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base BSB028
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 30A, 10V