Name: BSC019N08NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND
Price: 4.55101 CHF
Availability: InStock

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BSC019N08NS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC019N08NS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC019N08NS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC019N08NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC019N08NS5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montage en surface PG-TSON-8-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC019N08NS5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 146µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 117 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8600 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 214W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28A (Ta), 237A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSON-8-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN