BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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BSC0904NSIATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC0904NSIATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC0904NSIATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC0904NSIATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 20 A (Ta), 78 A (Tc) 2,5W (Ta), 37W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC0904NSIATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 37W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta), 78 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSC0904
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,7mohms à 30A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSC0502NSIATMA1	Infineon Technologies	22’776	BSC0502NSIATMA1CT-ND	Fr. 1.43000	Recommandation fabricant
CSD17301Q5A	Texas Instruments	12’810	296-25795-1-ND	Fr. 2.16000	Similaire
CSD17305Q5A	Texas Instruments	0	296-25855-1-ND	Fr. 1.44000	Similaire
CSD17306Q5A	Texas Instruments	3’274	296-25856-1-ND	Fr. 1.82000	Similaire
CSD17501Q5A	Texas Instruments	0	296-28437-1-ND	Fr. 2.44000	Similaire

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