Name: BSC105N15LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND
Price: 2.28091 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSC105N15LS5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC105N15LS5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC105N15LS5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC105N15LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC105N15LS5ATMA1
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 10,7A (Ta), 76A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10,7A (Ta), 76A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,5mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 91µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3000 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8
Boîtier	8-PowerTDFN