BSO615CGXUMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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BSO615CGXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSO615CGXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSO615CGXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSO615CGXUMA1
Description	MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 3,1A (Ta), 2A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface PG-DSO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSO615CGXUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,1A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 3,1A, 10V, 300mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 20µA, 2V à 450µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22,5nC à 10V, 20nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	380pF à 25V, 460pF à 25V
Puissance - Max.	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8
Numéro de produit de base	BSO615