Name: BSP149H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP149H6327XTSA1TR-ND
Price: 1.31882 CHF
Availability: InStock

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BSP149H6327XTSA1
Numéro de produit DigiKey	BSP149H6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine BSP149H6327XTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSP149H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSP149H6327XTSA1
Description	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface PG-SOT223-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSP149H6327XTSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	660mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	0V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8ohms à 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 400µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	430 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	BSP149