Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND
Price: 2.52954 CHF
Availability: InStock

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BSZ014NE2LS5IFATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Description	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 31 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ014NE2LS5IFATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF @ 12 V
Statut du composant Actif	Fonction FET Diode Schottky (substrat)
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 31 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,45mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base BSZ014