BSZ035N03LSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

BSZ035N03LSGATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

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onsemi

En stock: 1’884

Prix unitaire : Fr. 2.18000

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BSZ035N03LSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ035N03LSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ035N03LSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ035N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ035N03LSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 20 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ035N03LSGATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4400 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta), 40 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ035
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,5mohms à 20A, 10V