BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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BSZ0994NSATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSZ0994NSATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSZ0994NSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSZ0994NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ0994NSATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 13 A (Ta) 2,1W (Ta) Montage en surface PG-TSDSON-8-25
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ0994NSATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	890 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-25
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSZ0994