FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FF150R12RT4HOSA1
Numéro de produit DigiKey	448-FF150R12RT4HOSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FF150R12RT4HOSA1
Description	IGBT MOD 1200V 150A 790W MOD
Référence client
Description détaillée	IGBT Module À tranchées à champ limité Demi- pont 1200 V 150 A 790 W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	Infineon Technologies
Série	C
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Obsolète
Type d'IGBT	À tranchées à champ limité
Configuration	Demi- pont
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	150 A
Puissance - Max.	790 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,15V à 15V, 150A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	1 mA
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Non
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	FF150R12R