Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R057M1HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 35 A (Tc) 133W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW65R057M1HXKSA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Pas pour les nouvelles conceptions | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 74mohms à 16,7A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,7V à 5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +20V, -2V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 930 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 133W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | PG-TO247-3-41 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
En stock: 3
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.13000 | Fr. 7.13 |
| 30 | Fr. 4.16000 | Fr. 124.80 |
| 120 | Fr. 3.50758 | Fr. 420.91 |
| 510 | Fr. 3.02967 | Fr. 1’545.13 |
| 1’020 | Fr. 2.90968 | Fr. 2’967.87 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 7.13000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 7.70753 |
Produit associéAfficher tout
4 Articles
Les composants suivants peuvent vous intéresser
1 Articles
Suisse